南京華瑞微集成電路有限公司（以下簡稱華瑞微）成立于2018年5月，公司地址位于南京市浦口高新區科創廣場，是一家集功率器件產品研發、生產、銷售和服務于一體的高新技術企業。華瑞微已經研發成功且量產的產品包括高壓VDMOS、低壓Trench MOS、超結MOS和SGT MOS，同時正在開展第三代半導體（SiC、GaN）功率器件的研發工作。
TRENCH MOS
溝槽式金屬氧化物場效應晶體管（ Trench MOSFET ）與傳統VDMOS相比，具有更低的導通電阻Rdson和柵漏電荷密度，從而可實現更低的導通和開關損耗及更快的開關速度。HRmicro的Trench MOSFET通過采用最先進的溝槽技術和芯片布局，可應用于工作頻率小于100kHz的各種應用領域，很好的補充HRmicro的SGT系列產品，具有抗沖擊能力強，輸出效率高，成本低等特點；HRmicro結合最先進的封裝技術，可實現更高的輸出功率和可靠性，同時擁有各種小封裝產品可進一步提高電路集成度。
SGT MOS
采用電荷平衡原理，使得N型漂移區即使在較高摻雜濃度的情況下也能實現較高的擊穿電壓，從而獲得較低的導通電阻，打破傳統功率MOSFET的硅極限。 HRmicro SGT產品具有柵漏電容(Cgd)小，開關損耗低 ,優值（FOM）低，抗大電流沖擊能力（EAS）強等特點，結合先進的封裝技術增加了源極金屬的接觸面積，減少封裝寄生電阻，增強了器件高溫工作狀態下的散熱性能。
SUPER JUNCTION
HRmicro推出的第二代、第三代超結MOSFET系列產品，打破了傳統平面VDMOS的硅極限，使得導通電阻與擊穿電壓的關系得到了極大的改進，由傳統的2.5次方變為線性關系，極大的優化了器件的品質因數FOM（Rdson*Qg），比傳統VDMOS具有更快的開關速度，更低的開關損耗，更優的轉換效率；第二代及第三代超結MOSFET分別針對性的優化了EMI特性、產品特征導通電阻特性，同時，也帶來了DFN 8*8、TO-247等多種多樣的封裝形式，全面適用于照明應用、各類電源、適配器、手機、電腦等多種應用場景； 第二代及第三代超結同時推出了快恢復系列產品，極大的縮短了超結MOSFET的反向恢復時間，提高了反向恢復能力，降低了反向恢復損耗，適用于半橋、全橋等拓撲電路中，可應用于各種大功率電源、充電樁等產品中。
